Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「IBMのTLC PCM技術をIMW2016の聴衆はどのように評価したか」

PCWatch誌で連載しておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。

IBMチューリッヒ研究所が報道機関向けに発表した「TLC PCM技術」はいくつものウエブメディアに取り上げられ、画期的な成果として記事になりました。例えば、以下のようなものです。


EETimes JapanIBM、3ビット/セルのPCMの研究成果を発表」
http://eetimes.jp/ee/articles/1605/19/news095.html
IBMが今回実現した3ビット/セルPCMの可能性をどのような言葉で表そうと、その成果が極めて素晴らしいものであることに変わりはない。」
「ここでポイントになるのは、MLCフラッシュメモリは、シングルビットデバイスの派生品であり、並行で開発されたわけではないという点だ。」←意味不明な部分があります


PC WatchIBM、相変化メモリでセルあたり3ビットのマルチビット記録を実現
〜書き込み耐性1,000万サイクルの高耐久でDRAMを下回るコストを達成」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20160518_757977.html
「本研究ではPCMでマルチビットを格納するため、セルの物理的特性を計測する、ドリフトの影響を受けにくいメトリックスと、温度変化によって閾値を変更することで長期間の読み取りを可能としたコーディングおよび検出スキームという2つの新技術を開発」


日経テクノロジー「IBMが相変化メモリーを3ビット/セルに、「DRAMより安くできる」」
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/052002206/?bpnet&rt=nocnt
これまでPCMは、電気抵抗値のバラつきや経時変化、内部雑音などに悩まされてきた。IBM社は今回、回路的にこれらを補償することで課題を低減し、MLCTLCを高い信頼性を備えた形で実現したとする。


ZDNet Japan
IBM、相変化メモリの開発成果を発表--DRAM並みの速度を低コストで実現」
http://japan.zdnet.com/article/35082772/

Gigazine「読み書きが高速で耐久性に優れる「相変化メモリ」の低価格化へ向けた第一歩が実現」
http://gigazine.net/news/20160518-ibm-phase-change-memory/
「これまでに成功していたのは1セルに1ビットでしたが、今回の成功により、相変化メモリを同密度のフラッシュメモリに迫る価格で作れるようになったとのこと。」


技術の詳細はIMW2016で口頭発表されました。発表内容と、聴衆の反応を紹介したのが今回の記事です。


IBMの3bit/セル相変化メモリを、技術のプロはどのように評価したか〜IMW2016レポート」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/759832.html


メモリ技術のプロフェッショナルによる評価は、かなりの辛口です。詳しくはレポート記事を閲覧してくださいませ。