EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAM（スピン注入磁気メモリ）の解説シリーズ、第9回です。
「STT-MRAMの基礎（9）：電子スピンの注入による磁化反転の原理」
http://eetimes.jp/ee/articles/1605/30/news093.html
スピン注入型メモリの最も重要な要素技術である、スピン注入による磁化反転の原理を説明しております。電子スピンと強磁性体の交換相互作用によるトルクが磁化を反転させる力となるのですが、電子1個が起こすトルクは非常に小さく、磁化を反転することは不可能です。
しかし、大量の電子が一斉にトルクを発生することで、トルクは強大になり、磁化を反転させることが可能になります。なんとなく、アリの群れが猛獣を倒すような感じです。
