Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「MTJの自由層に求められるもの」

EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

STT-MRAMの基礎を解説するシリーズ、第13回です。


「STT-MRAMの基礎(13):MTJの自由層に求められるもの」
http://eetimes.jp/ee/articles/1606/13/news032.html


STT-MRAMの記憶素子であるMTJの、自由層に対する要件をまとめています。自由層は電子スピン注入によって磁化反転を起こすために磁気モーメントに動きやすさが求められる一方、温度の熱エネルギーによって磁化が反転しない程度の固着性が求められます。