Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「磁気トンネル接合(MTJ)におけるトンネル障壁の役割り」

EETimes Japan誌の連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第12回です。


「STT-MRAMの基礎(12):MTJにおけるトンネル障壁層の重要性」
http://eetimes.jp/ee/articles/1606/10/news034.html


電子スピンの注入におけるトンネル障壁層の役割りを解説しております。現在のMTJにごく普通に使われているトンネル障壁用絶縁材料は酸化マグネシウム(MgO)結晶です。


なぜMgO結晶なのかの理由と、以前に使われていたアモルファス酸化アルミニウムではなぜダメだったかを説明しています。