EETimes Japan誌の連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第12回です。
「STT-MRAMの基礎(12):MTJにおけるトンネル障壁層の重要性」
http://eetimes.jp/ee/articles/1606/10/news034.html
電子スピンの注入におけるトンネル障壁層の役割りを解説しております。現在のMTJにごく普通に使われているトンネル障壁用絶縁材料は酸化マグネシウム(MgO)結晶です。
当ブログではアフィリエイト広告を利用しています
EETimes Japan誌の連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第12回です。
「STT-MRAMの基礎(12):MTJにおけるトンネル障壁層の重要性」
http://eetimes.jp/ee/articles/1606/10/news034.html
電子スピンの注入におけるトンネル障壁層の役割りを解説しております。現在のMTJにごく普通に使われているトンネル障壁用絶縁材料は酸化マグネシウム(MgO)結晶です。