EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAMの基礎を解説する講演の紹介、その第11回です。
「STT-MRAMの基礎(11):スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)」
http://eetimes.jp/ee/articles/1606/07/news028.html
半導体メモリをどこまで微細化できるかは、記憶容量と記憶密度の限界を大きく左右します。STT-MRAMも同様です。この部分を解説しております。
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EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAMの基礎を解説する講演の紹介、その第11回です。
「STT-MRAMの基礎(11):スピン注入型MRAMの微細化(スケーリング)」
http://eetimes.jp/ee/articles/1606/07/news028.html
半導体メモリをどこまで微細化できるかは、記憶容量と記憶密度の限界を大きく左右します。STT-MRAMも同様です。この部分を解説しております。