EETimes Japan誌の連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。
STT-MRAMに関する講演を紹介するシリーズの第8回です。
「STT-MRAMの基礎（8）：外部磁界による書き込みの限界」
http://eetimes.jp/ee/articles/1605/27/news019.html
磁気メモリ（MRAM）のデータ書き込み方法の中で、外部磁界を利用する方法とその限界を説明しています。
外部磁界を利用して磁化を反転する方法では、磁化発生用金属配線の電流密度が微細化によって上昇します。これが微細化の制限要因となってきます。
