Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

IMW(国際メモリワークショップ)レポート「長寿命の抵抗変化メモリ」

フランスのパリで開催されたイベント「IMW(国際メモリワークショップ)」からレポート記事を書いております。PCWatch誌に掲載されました。


「【IMW 2016】imec、1兆サイクルの書き換えが可能なReRAM技術を開発」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20160525_758976.html


書き換えサイクル寿命が1兆サイクルと長いことと、100倍を超える読み出しウインドウ(抵抗比)を両立させたことがポイントです。


記憶素子にはガドリニウム酸化物という、これまでの抵抗変化メモリ(ReRAM)の研究論文ではあまり見られなかった材料を使っています。細かい組成は秘密のようで、詳しくは書かれていません。