フランスのパリで開催されたイベント「IMW（国際メモリワークショップ）」からレポート記事を書いております。PCWatch誌に掲載されました。
「【IMW 2016】imec、1兆サイクルの書き換えが可能なReRAM技術を開発」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20160525_758976.html
書き換えサイクル寿命が1兆サイクルと長いことと、100倍を超える読み出しウインドウ（抵抗比）を両立させたことがポイントです。
記憶素子にはガドリニウム酸化物という、これまでの抵抗変化メモリ（ReRAM）の研究論文ではあまり見られなかった材料を使っています。細かい組成は秘密のようで、詳しくは書かれていません。
