2019-06-13 VLSIシンポジウム現地レポート第3弾「6層のクロスポイントと1Znm技術で実現する1Tbitの超大容量メモリ」 筆者の仕事 エレクトロニクス企業の動向 VLSIシンポジウムの現地レポート第3弾をPC Watch様に掲載していただきました。pc.watch.impress.co.jp 相変化メモリ(PCM)を共同研究しているIBMとMacronix Internationalの発表をご報告しております PCMのクロスポイント化によって、1Tbitの超大容量不揮発性メモリを実現する手段を検討しました。 その結果が、「6層のクロスポイントと1Znm世代の製造技術」であれば、1Tbitを実現できるというものです。 詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。