VLSIシンポジウム現地レポート第3弾「6層のクロスポイントと1Znm技術で実現する1Tbitの超大容量メモリ」

VLSIシンポジウムの現地レポート第3弾をPC Watch様に掲載していただきました。

pc.watch.impress.co.jp

相変化メモリ（PCM）を共同研究しているIBMとMacronix Internationalの発表をご報告しております
PCMのクロスポイント化によって、1Tbitの超大容量不揮発性メモリを実現する手段を検討しました。
その結果が、「6層のクロスポイントと1Znm世代の製造技術」であれば、1Tbitを実現できるというものです。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。