不揮発性メモリに関するニュースがあったので、
コラム「セミコン業界最前線」を緊急更新しました。
「Intel-Micron連合が発表した“革新的な”不揮発性メモリ技術の中身」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150730_714157.html
インテルとマイクロンが共同発表し、「新たな領域を創生する革新的なメモリ、NANDフラッシュの発明（1989年）以来の25年振りのブレークスルー」などと喧伝しているメモリの正体を探っています。
かいつまんで説明すると、
「クロスポイント技術」が初めての開発技術であるかのような表現を両社がしているのは、誤りです。半導体メモリの研究開発コミュニティでは、クロスポイントは昔からある技術です。別に新しくはありません。
最大の疑問は高速性と書き換え寿命、特に高速性です。クロスポイント型でセル選択素子がトランジスタでないとすると、これだけで原理的には読み書き速度が遅くなります。謎です。
【追記】PCWatch誌の週間アクセスランキングで7位になりました！！！
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/accessranking/20150803_714676.html
これも皆様のおかげです！！ ありがとうございます！
できましたら、じっくりと読んでください。最後まで。よろしくお願いいたします。
