EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。次々世代のトランジスタを狙う非シリコンの材料を解説するシリーズを始めます。
「デバイス通信（33）：次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料（1）〜なぜ非シリコンなのか」
http://eetimes.jp/ee/articles/1507/30/news023.html
シリコンのキャリア移動度がそれほど高くないことから、話は始まります。移動度の高い半導体材料が、非シリコンチャンネルの候補となります。なぜ移動度の高い材料が必要なのか、も解説しております。
お手すきのときにでも、眺めていただければ幸いです。
