EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。
新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第18回となります。
前編はこちらです。
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破（前編）：福田昭のデバイス通信（314） imecが語る3nm以降のCMOS技術（17） - EE Times Japan
シーケンシャルCFETではボトム側とトップ側で異なる材料をチャンネルに使える、ということの意味と試作例を説明しています。講演者のimecではなく、Intelの研究開発成果です。
研究成果は2件あります。1件はGeチャンネルとSiチャンネルのCFET、もう1件はGaNチャンネルとSiチャンネルのCFETです。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
