Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(後編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第18回となります。


eetimes.itmedia.co.jp


前編はこちらです。

次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(前編):福田昭のデバイス通信(314) imecが語る3nm以降のCMOS技術(17) - EE Times Japan


シーケンシャルCFETではボトム側とトップ側で異なる材料をチャンネルに使える、ということの意味と試作例を説明しています。講演者のimecではなく、Intelの研究開発成果です。

研究成果は2件あります。1件はGeチャンネルとSiチャンネルのCFET、もう1件はGaNチャンネルとSiチャンネルのCFETです。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。