EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第17回となります。
シーケンシャルCFETはウエハーの貼り合わせで製造します。
このことは、nチャンネルとpチャンネルで別の半導体材料を使えるということを意味します。
そこでpチャンネルのキャリア（正孔）が高速で動くゲルマニウム（Ge）、
nチャンネルのキャリア（伝導電子）が高速で動く窒化ガリウム（GaN）などがCFETの候補となります。
詳しくは記事をご参照くださいませ。
