Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(前編)」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第17回となります。

eetimes.itmedia.co.jp


シーケンシャルCFETはウエハーの貼り合わせで製造します。
このことは、nチャンネルとpチャンネルで別の半導体材料を使えるということを意味します。
そこでpチャンネルのキャリア(正孔)が高速で動くゲルマニウム(Ge)、
nチャンネルのキャリア(伝導電子)が高速で動く窒化ガリウム(GaN)などがCFETの候補となります。

詳しくは記事をご参照くださいませ。