コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ技術「コンプリメンタリFET」の構造と種類」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第13回となります。

eetimes.itmedia.co.jp

次々世代のトランジスタ技術「CFET」の構造をまず説明しています。それから、作り方（製造方法）として、モノリシックとシーケンシャルの2通りの方法があることと、それぞれの概要を述べております。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。