Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「デバイス通信」を更新。「次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の課題」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第16回となります。

eetimes.itmedia.co.jp

前回に続いてシーケンシャルCFETの製造プロセスを扱っています。
今回はトップ側の製造プロセスにおける温度条件(最高で550℃が望ましい)がテーマです。

トップ側のプロセス温度が高いと、ボトム側のデバイスが劣化してしまう。これを防ぐためにプロセス温度を下げなければならない。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。