コラム「デバイス通信」を更新。IEDM 2017プレビュー第6弾です（技術講演セッション2日目午後の続編）

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。

eetimes.jp

IEDM 2017のプレビュー第6回です。2日目午後の続きとなっております。

サブスレッショルド領域で動作する負性容量トランジスタ、200mmウエハープロセスで製造するシリコンフォトニクス、窒化ガリウム（GaN）の高耐圧トランジスタ、ダイヤモンドを材料とするトランジスタ、などの注目講演をご紹介しています。

お手すきのときにでも眺めていただけるとうれしいです。

シリコンフォトニクス

シリコンフォトニクス―先端光テクノロジーの新展開