EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
IEDM 2017のプレビュー、第5回となります。2日目の午後です。
話題は、高密度な3D NAND技術、強誘電体トランジスタの不揮発性メモリ技術、3nm世代のCMOS製造技術、外部磁界に強いSTT-MRAM技術、などです。
お手すきのときにでも眺めていただけるとうれしいです。
Interface (インターフェース) 2015年 02月号
- 作者: -,Interface編集部
- 出版社/メーカー: CQ出版
- 発売日: 2014/12/25
- メディア: 雑誌
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