EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「強誘電体メモリの再発見（10）：強誘電体不揮発性メモリ（FeRAM）の基本動作」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/03/news021.html
強誘電体メモリの動作原理を簡単に解説しています。データの書き込み動作、それから読み出し動作です。特徴があるのは読み出し動作で、破壊読み出しになるので再書き込みが必須となります。
なお、メモリセルのモデルは1T1C（1個のセル選択トランジスタと1個の強誘電体キャパシタ）方式です。また材料はPZTおよびSBTを想定しています。従来型の強誘電体メモリですね。
お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。
