Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新しました。「強誘電体メモリの基本動作」を簡単に解説しております

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


強誘電体メモリの再発見(10):強誘電体不揮発性メモリ(FeRAM)の基本動作」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/03/news021.html


強誘電体メモリの動作原理を簡単に解説しています。データの書き込み動作、それから読み出し動作です。特徴があるのは読み出し動作で、破壊読み出しになるので再書き込みが必須となります。


なお、メモリセルのモデルは1T1C(1個のセル選択トランジスタと1個の強誘電体キャパシタ)方式です。また材料はPZTおよびSBTを想定しています。従来型の強誘電体メモリですね。


お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。