PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
強誘電体の新材料であるハフニウム酸化物（HfO2）が発見されてから、およそ10年が経過しました。
この材料を使った不揮発性メモリの研究が活発になる一方で、期待と現実のギャップが露わになっています。
最も高密度な強誘電体トランジスタ（FeFET）セルでは、旧材料であるPZTとSBTの書き換えサイクル寿命を超えられない。
それどころか、かなり短い寿命しか得られていません。
そこでDRAMと類似の、1個のMOS FETと1個の強誘電体キャパシタでメモリセルを構成する方式への転換が始まりつつあります。
性能で本当に旧材料を超えられるのか。いよいよ正念場です。
詳しくは記事をご参照くださいませ。
