Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。新シリーズ「反強誘電体が起爆するDRAM革命」を開始

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


eetimes.jp



二酸化ハフニウム強誘電体の発見に伴い、同系の「反強誘電体」も発見されました。
強誘電体は残留分極がほぼゼロに近いので、不揮発性メモリへの応用はふつう、考えません。



ところが。



ある工夫を凝らすと、不揮発性メモリとして使えるようになるという。
こんなやり方があったのですね。かなり驚きました。


さらに、驚きの事実が待ち受けています。凄い偶然です。
二酸化ハフニウムのときも、半導体製造で普通に使われている材料が「強誘電体になる」ということにすごく驚きました。反強誘電体でも、びっくりがあります。


詳しくは本シリーズをこまめにチェックして下さいませ。
かなり丁寧に説明する予定なので。乞うご期待!!!!