コラム「ストレージ通信」を更新。強誘電体の新材料「二酸化ハフニウム」でメモリセルを構成する方法

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

「強誘電体メモリの再発見（15）：新材料「二酸化ハフニウム」を使った強誘電体メモリへの長い道」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/25/news027.html

強誘電体の新材料「二酸化ハフニウム」でメモリセルを構成する方法を紹介しております。基本的には、従来材料であるペロブスカイト系強誘電体と同じです。

お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。