EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
新強誘電体「二酸化ハフニウム」と新、反強誘電体「二酸化ジルコニウム」のシリーズをまとめました。
いずれも不揮発性メモリへの応用を想定した研究開発がなされてきました。
本シリーズでではふれませんでしたが、
最近では、強誘電体トランジスタを「負性容量トランジスタ」に適用する研究が活発になっています。
いずれはご紹介していくつもりです。
なぜ今やらないかというと・・・・筆者が「負性容量トランジスタ」を良く分かっていない・・・というぶっちゃけ理由からです。勉強しますので、もうしばらくお待ちください。

- 作者: 内野研二,石井孝明
- 出版社/メーカー: 森北出版株式会社
- 発売日: 2005/08/20
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