コラム「ストレージ通信」を更新。「強誘電体トランジスタで多値メモリを実現」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った不揮発性メモリの解説、第22回です。

「強誘電体メモリの再発見（22）：強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する（前編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/26/news019.html

分極の最小単位であるドメインが見えてくる大きさまで、二酸化ハフニウム系では微細化が可能になります。このため、例えば3つのドメインでゲートの強誘電体薄膜が構成されていると、4値を記憶する、言い換えると2bitを記録するトランジスタ（多値メモリセル）を実現できます。

そして実際に実現してしまったという研究成果をご紹介します。

お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。

強誘電体メモリ―物理から応用まで