Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「強誘電体トランジスタで多値メモリを実現」


EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。二酸化ハフニウム強誘電体材料を使った不揮発性メモリの解説、第22回です。


強誘電体メモリの再発見(22):強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/26/news019.html


分極の最小単位であるドメインが見えてくる大きさまで、二酸化ハフニウム系では微細化が可能になります。このため、例えば3つのドメインでゲートの強誘電体薄膜が構成されていると、4値を記憶する、言い換えると2bitを記録するトランジスタ(多値メモリセル)を実現できます。


そして実際に実現してしまったという研究成果をご紹介します。


お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。


強誘電体メモリ―物理から応用まで

強誘電体メモリ―物理から応用まで