EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。二酸化ハフニウム系強誘電体材料を使った不揮発性メモリの解説、第22回です。
「強誘電体メモリの再発見(22):強誘電体トランジスタで多値メモリを実現する(前編)」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/26/news019.html
分極の最小単位であるドメインが見えてくる大きさまで、二酸化ハフニウム系では微細化が可能になります。このため、例えば3つのドメインでゲートの強誘電体薄膜が構成されていると、4値を記憶する、言い換えると2bitを記録するトランジスタ(多値メモリセル)を実現できます。
そして実際に実現してしまったという研究成果をご紹介します。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
- 作者: J.F.スコット,James F. Scott,田中均洋,三浦薫,磯辺千春
- 出版社/メーカー: シュプリンガーフェアラーク東京
- 発売日: 2003/11
- メディア: 単行本
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