EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「強誘電体メモリの再発見（21）：二酸化ハフニウムを使った強誘電体トランジスタの研究開発（後編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/21/news021.html
二酸化ハフニウム強誘電体トランジスタの特性を、ペロブスカイト系材料のSBT強誘電体トランジスタと比較しています。さらに、二酸化ハフニウム系の弱点である、長期信頼性について言及しております。
お手すきのときにでも、眺めていただけるとうれしいです。
最近は諸事情でブログが仕事（公表可能なもの）日記と化しております。
ホントはもっといろいろ書きたいのですが、時間とエネルギーが不足しております。
それなのに、10月の同人イベント原稿がまだ1行も書けていないという。（汗）
どうかご容赦くださいませ。
