コラム「ストレージ通信」を更新。「不揮発性DRAMへのアプローチ」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

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ポイントは、これまでご紹介してきた二酸化ジルコニウムが、DRAMキャパシタの絶縁材料でもある、という点です。つまり、工夫次第で、DRAMキャパシタが不揮発性になる。すると、DRAMが不揮発性になる、というシナリオです。

うわー。二酸化ハフニウム強誘電体の発見から、反強誘電体である二酸化ジルコニウムの発見。そしてDRAMキャパシタの不揮発化へ。すごい流れです。

これらの一連の研究に、ドイツの大手DRAMメーカーQimondaが協力していました。残念なことに、Qimondaは2009年に倒産してしまったのです。Qimondaが今でもDRAMメーカーとして健在であったならば。いろいろと面白いことが起きそうだっただけに惜しいです。

Dynamic RAM: Technology Advancements