Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新しました。「強誘電体メモリの長期信頼性」です

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


強誘電体メモリの再発見(12):FeRAMの長期信頼性に関する特徴」
http://eetimes.jp/ee/articles/1708/10/news023.html


長期信頼性といえばデータ保持期間と書き込みサイクルです。ただし強誘電体メモリでは、読み出しでも劣化があります。このため、「読み出し回数プラス書き込み回数」でアクセス回数が制限されます。まずはこの点について指摘しております。


それから長期信頼性を左右する2つの物理現象を説明しております。「疲労(ファティーグ)」と「インプリント」です。いずれも強誘電体メモリ(FeRAM)」の長期信頼性を損ねる、厄介な現象です。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。