EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「強誘電体メモリの再発見（17）：究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ」
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/05/news014.html
MOS FETのゲート絶縁膜を、強誘電体膜と常誘電体膜（通常のゲート絶縁膜）の2層構造とすることで、1個のトランジスタだけで不揮発性メモリのセルを構成します。今回はメモリセル（トランジスタ）の基本構造と動作原理を説明しております。
フラッシュメモリと同様に、究極の高密度セル（3次元構造を除く）と言えます。
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