Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。1個のトランジスタだけで不揮発性のメモリセルを実現する「強誘電体トランジスタ」


EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


強誘電体メモリの再発見(17):究極の高密度不揮発性メモリを狙う強誘電体トランジスタ
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/05/news014.html


MOS FETのゲート絶縁膜を、強誘電体膜と常誘電体膜(通常のゲート絶縁膜)の2層構造とすることで、1個のトランジスタだけで不揮発性メモリのセルを構成します。今回はメモリセル(トランジスタ)の基本構造と動作原理を説明しております。


フラッシュメモリと同様に、究極の高密度セル(3次元構造を除く)と言えます。


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