EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を続けて更新しました。
（すみません！！ 寝ぼけて書いていたようで旧テキストが支離滅裂でした。全面改定しております）
新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第20回となります。
前回から、ポストシリコン材料のトランジスタ技術に突入しました。
「サブnm時代に向けた2次元材料のトランジスタ技術」です。
前回で不足していた、2次元材料に関する説明を追加しました。
試作したトランジスタ（バックゲート型）の断面観察像と、
シミュレーションでフォークシート構造に応用したときの特性を述べております。
お手すきのときにでも、記事をながめていただけるとうれしいです。
