コラム「デバイス通信」を久々に更新。「サブnm時代に向けた2次元材料のトランジスタ技術」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を久々に更新しました。

新シリーズ「 imecが語る3nm以降のCMOS技術」の第19回となります。
今回から新しいパートに入ります。ポストシリコン材料のトランジスタ技術です。

eetimes.itmedia.co.jp

2次元（2D）材料をチャンネルに使うMOS FETとなります。
2次元材料は厚みが単原子層～数原子層と薄いので、短チャンネル効果を抑えられます。

詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。