Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

連載コラム「デバイス通信」を更新、非シリコンチャンネルの最終回「CMOSデバイスの研究状況」

EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。非シリコンチャンネルのトランジスタ開発に関するシリーズの最終回です。


「次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料(4)〜CMOSの実現手法と試作例」
http://eetimes.jp/ee/articles/1508/07/news018.html

シリコン(Si)基板に格子が整合しない2つ材料でnMOS FETとpMOS FETの両方を作らないと、CMOSバイスはできません。かなり難しい課題です。単元素結晶であるゲルマニウム(Ge)はまだどうにかなりますが、3元混晶のインジウムガリウムヒ素(InGaAs)ではかなりハードルが高い。


最初のアプローチはInP基板(InPウェハー)に格子整合するIn0.53Ga0.47Asを成長させて、Siウェハーと貼り合わせる技術が主流になりそうです。でもこれですとInPウェハーを使うので、ウェハーコストが上がる。あまり良いソリューションとはいえません。そこで研究開発が進められているのが。(続きは記事でお読みくださいませ)