EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。非シリコンチャンネルのトランジスタ開発に関するシリーズの最終回です。
「次々世代のトランジスタを狙う非シリコン材料（4）〜CMOSの実現手法と試作例」
http://eetimes.jp/ee/articles/1508/07/news018.html
シリコン（Si）基板に格子が整合しない2つ材料でnMOS FETとpMOS FETの両方を作らないと、CMOSデバイスはできません。かなり難しい課題です。単元素結晶であるゲルマニウム（Ge）はまだどうにかなりますが、3元混晶のインジウム・ガリウム・ヒ素（InGaAs）ではかなりハードルが高い。
最初のアプローチはInP基板（InPウェハー）に格子整合するIn0.53Ga0.47Asを成長させて、Siウェハーと貼り合わせる技術が主流になりそうです。でもこれですとInPウェハーを使うので、ウェハーコストが上がる。あまり良いソリューションとはいえません。そこで研究開発が進められているのが。（続きは記事でお読みくださいませ）
