EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
化合物レーザーをシリコンにモノリシック集積する試み（前編） (1/2) - EE Times Japan
化合物半導体である半導体レーザーを、シリコン基板の上に直接、作製しようという試みです。
その前編です。
化合物半導体とシリコン半導体では、格子定数や熱膨張率などが違います。
そのため、シリコン基板に化合物半導体を直接成長させると、応力によって格子欠陥が高い密度で発生します。
何らかの工夫によって格子欠陥のない、あるいは非常に少ない、薄膜を成長させる必要があります。
その工夫について解説しております。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
