Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。磁気メモリが「不揮発性メモリ」であるための条件

EETimes Japan誌に掲載しております。STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第5回です。


「次世代メモリ、STT-MRAMの基礎(5):磁気メモリが「不揮発性メモリ」であるための条件」http://eetimes.jp/ee/articles/1605/09/news033.html


磁気メモリは不揮発性メモリであると考えられていますが、実際には「不揮発性メモリになるような」作り込みがなされています。何も工夫しないと、熱エネルギー(環境温度によるエネルギー)によってデータが変わってしまうのです。


半導体の不揮発性メモリ製品ではデータ保持期間をおおむね10年間としています。この保持期間を保証するための設計仕様を解説しております。