EETimes Japan誌に掲載しております。STT-MRAMの基礎を解説するシリーズの第5回です。
「次世代メモリ、STT-MRAMの基礎（5）：磁気メモリが「不揮発性メモリ」であるための条件」http://eetimes.jp/ee/articles/1605/09/news033.html
磁気メモリは不揮発性メモリであると考えられていますが、実際には「不揮発性メモリになるような」作り込みがなされています。何も工夫しないと、熱エネルギー（環境温度によるエネルギー）によってデータが変わってしまうのです。
半導体の不揮発性メモリ製品ではデータ保持期間をおおむね10年間としています。この保持期間を保証するための設計仕様を解説しております。
