コラム「デバイス通信」を更新。「パワーデバイスの温度上昇が接合と放熱構造の変革を促す」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「2022年度版　実装技術ロードマップ」の第55回となります。
「接合材料（接合技術）」の第3回です。

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パワーデバイスの半導体材料にワイドバンドギャップ半導体が加わったことで、動作温度が上昇していることが前提にあります。
耐熱温度が高く、コストが低いダイマウント（ダイボンディング）用接合材料が求められております

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