EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリコンフォトニクスのシリーズ解説、その24回です。想定外の長期シリーズ（苦笑）。
光変調器を駆動する高速CMOS回路の試作事例 (1/2) - EE Times Japan
光変調器を駆動するCMOS回路の試作例をご説明しております。
光変調器は、リング変調器です。残念ながらモノリシック集積とはなっておりません。
リング変調器のシリコンダイと、CMOS駆動回路のシリコンダイは別々であり、両者はボンディングワイヤによって電気接続されております。
そしてCMOS駆動回路は電源電圧が1.0V前後と低いにも関わらず、30Gbps～50GpsのNRZ符号で変調できています。
ちなみに製造技術は28nm世代です。
さり気なく書いてますが、電源電圧1.0Vで50Gbpで電気回路が動くって、これはかなりすごいことなのですよ。
というか、1990年代前半（おおよそ25年前）には想像もできなかった。そんな未来はたぶん、誰も信じない。当時は。
そもそも28nm技術とか信じないし。0.1μm（100nm）くらいまでしか想像できなかった。
でも、今では当たり前になっている。当たり前になると。もう、誰も驚かない。
半導体の世界ではこれがずっと、50年も繰り返されてる。
1MビットDRAMの開発が大ニュースとなった1980年代前半。
1GビットDRAMがもはやディスコン品となってしまった2010年代後半。
記憶容量の違いは1000倍。千倍。
すみません。話が変な方向に転がり始めたので、もうやめます。老人のたわごとになってます（爆）。
筆者としては記事を読んで頂ければ、うれしい。このひと言につきます。
それでは、また次回にお会いしましょう。
