Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「セミコン業界最前線」を更新。「高密度SRAM技術のISSCC報告解説」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。


「次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCSamsungが公表」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1044544.html


ついに「7nm」です。CMOSロジックの微細化もここまできたかと思うと、感慨深いものがあります。


SRAMで256Mbitのテストチップを作ってもシリコン面積が42.5平方ミリにしかならない。4Gbit DRAMのシリコンダイと同じくらい。DRAMは微細化が20nmでほぼ止まったままで、デバイス構造を考慮するとたぶん、7nmは不可能です(EUVリソグラフィを安価に使える時代になれば、分かりませんが)。


256Mbitのテストチップには、メモリセルアレイだけで15億個を超えるトランジスタが詰め込まれています。15億。なんか、気が遠くなってきました。


でも詰め込むだけではSRAMにはなりません。課題は山積しています。特に配線抵抗と配線容量の問題は厄介です。いろいろな工夫が、ISSCCでは発表されました。詳しくは記事をご覧くださいませ。