PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
「次世代モバイルを実現する7nmのSRAM技術をTSMCとSamsungが公表」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1044544.html
ついに「7nm」です。CMOSロジックの微細化もここまできたかと思うと、感慨深いものがあります。
SRAMで256Mbitのテストチップを作ってもシリコン面積が42.5平方ミリにしかならない。4Gbit DRAMのシリコンダイと同じくらい。DRAMは微細化が20nmでほぼ止まったままで、デバイス構造を考慮するとたぶん、7nmは不可能です（EUVリソグラフィを安価に使える時代になれば、分かりませんが）。
256Mbitのテストチップには、メモリセルアレイだけで15億個を超えるトランジスタが詰め込まれています。15億。なんか、気が遠くなってきました。
でも詰め込むだけではSRAMにはなりません。課題は山積しています。特に配線抵抗と配線容量の問題は厄介です。いろいろな工夫が、ISSCCでは発表されました。詳しくは記事をご覧くださいませ。
