EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。
「抵抗変化メモリの開発動向（11）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセルアレイとセルの選択」
http://eetimes.jp/ee/articles/1612/19/news030.html
半導体メモリの基礎をやり直しています。メモリセルアレイとは何か、メモリセルアレイの中から特定のメモリセルをどのようにして選択するか。そしてスニーク電流経路についてふれ、セル選択スイッチ素子の重要性を説明しています。
メモリセルの選択スイッチといえば、普通はトランジスタなのですが。抵抗変化メモリではトランジスタを使わないセル選択スイッチの研究が盛んです。その理由についてもふれております。
