Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのメモリセルアレイとメモリセル選択」


EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。


「抵抗変化メモリの開発動向(11):SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセルアレイとセルの選択」
http://eetimes.jp/ee/articles/1612/19/news030.html


半導体メモリの基礎をやり直しています。メモリセルアレイとは何か、メモリセルアレイの中から特定のメモリセルをどのようにして選択するか。そしてスニーク電流経路についてふれ、セル選択スイッチ素子の重要性を説明しています。


メモリセルの選択スイッチといえば、普通はトランジスタなのですが。抵抗変化メモリではトランジスタを使わないセル選択スイッチの研究が盛んです。その理由についてもふれております。