EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。
「SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化」
http://eetimes.jp/ee/articles/1612/13/news026.html
抵抗変化メモリ（ReRAM）の記憶素子における抵抗値が書き込み直後に変化する現象（リラクゼーション）を取り上げております。書き込み電流を少ないと起きやすいこと、メモリセルの特性ばらつきで見ると読み出し電流の少ないセルで発生すること、などが分かっています。
リラクゼーションが発生すると、高抵抗状態の素子だと抵抗値が下がり、低抵抗状態の素子だと抵抗値が上がります。したがって一部のメモリセルでは読み出しマージンがゼロになり、読み出し不良へとなります。
具体的なデータについては記事をご参照くださいませ。
