2016-12-13から1日間の記事一覧
EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。 「SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/13/news026.html 抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子における抵抗値が書き込み直後に…
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EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。 「SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/13/news026.html 抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子における抵抗値が書き込み直後に…