Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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2016-12-13から1日間の記事一覧

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリの抵抗値が書き込み直後に変化する現象」

EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。 「SanDiskが語る、抵抗変化メモリの抵抗値変化」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/13/news026.html 抵抗変化メモリ(ReRAM)の記憶素子における抵抗値が書き込み直後に…