2016-12-28から1日間の記事一覧

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのセル選択素子技術（後編）」

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。「抵抗変化メモリの開発動向」シリーズの最終回です。「抵抗変化メモリの開発動向（13）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術（後編）」 http://eetimes.jp/…