EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「抵抗変化メモリの開発動向」シリーズの最終回です。
「抵抗変化メモリの開発動向（13）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセル選択スイッチ技術（後編）」
http://eetimes.jp/ee/articles/1612/28/news024.html
代表的な4つのスレッショルド・スイッチ（しきい電圧スイッチ）技術の性能を比較しております。なおこれらのスイッチ技術は、クロスポイント・メモリであれば原理の違う記憶素子にも適用が可能です。例えば「3D XPoint」メモリには、OTS素子がセル選択スイッチに使われていると見られています（http://eetimes.jp/ee/articles/1602/01/news047.html）。
