EETimes Japan誌から頂いております連載コラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向（11）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリのセルアレイとセルの選択」 http://eetimes.jp/ee/articles/1612/19/news030.html 半導体メモリの基礎を…