コラム「ストレージ通信」を久々に更新。「3D NANDメモリセルのベースとなるマルチペア薄膜形成」

EETimes Japan様から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を久々に更新しました。

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メモリセルアレイのベースとなるマルチペア薄膜の形成 (1/2) - EE Times Japan

3D NANDフラッシュメモリの製造技術とスケーリングに関する技術解説のシリーズ連載、その第7回となります。

セルトランジスタのベースとなる、マルチペア薄膜の形成技術について説明しております。

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