コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリの消費電流と速度」

EETimes Japan誌から頂いておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

「抵抗変化メモリの開発動向（6）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリの消費電流と速度」http://eetimes.jp/ee/articles/1611/22/news024.html

試作された抵抗変化メモリの書き込み消費電流とスイッチング時間を、国際学会の発表数値からまとめた結果です。電流と時間の両方とも、大きなばらつきがあると分かります。