Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリのスイッチング機構」

EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。


SanDiskが語る、抵抗変化メモリのスイッチングモデル」
http://eetimes.jp/ee/articles/1612/05/news027.html


抵抗変化メモリ(ReRAM)の開発動向を解説するシリーズの第8回です。講演スライドの切れ目の都合で、今回はショートバージョンとなっております。どうかご容赦ください。


内容は過去に学会発表された主なスイッチングモデルの一覧です。大半が酸素欠陥や酸素イオンなどの動き(酸化還元反応)を取り入れています。ReRAMのほとんどが記憶素子に金属酸化膜を採用しているので、何らかの形で酸素が関わるのは当然と言えば当然なのですが。