EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。
「SanDiskが語る、抵抗変化メモリのスイッチングモデル」
http://eetimes.jp/ee/articles/1612/05/news027.html
抵抗変化メモリ（ReRAM）の開発動向を解説するシリーズの第8回です。講演スライドの切れ目の都合で、今回はショートバージョンとなっております。どうかご容赦ください。
内容は過去に学会発表された主なスイッチングモデルの一覧です。大半が酸素欠陥や酸素イオンなどの動き（酸化還元反応）を取り入れています。ReRAMのほとんどが記憶素子に金属酸化膜を採用しているので、何らかの形で酸素が関わるのは当然と言えば当然なのですが。
