EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。 「抵抗変化メモリの開発動向（7）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム」 http://eetimes.jp/ee/articles/1611/29/news031.html 抵抗変化メモリの記憶素子が採…