コラム「ストレージ通信」を更新。「抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム」

EETimes Japan誌で連載しておりますコラム「ストレージ通信」を更新しました。

「抵抗変化メモリの開発動向（7）：SanDiskが語る、抵抗変化メモリの電気伝導メカニズム」
http://eetimes.jp/ee/articles/1611/29/news031.html

抵抗変化メモリの記憶素子が採用している電気伝導のメカニズムを一覧表にまとめて紹介しています。一覧表の概要と、各メカニズムに関する説明を補足しました。