EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
シリーズ「TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術」の第13回となります。
シリコンダイの3次元積層によって消費電力密度、つまり発熱密度が上昇します。
積層枚数が増えると、発熱密度がさらに上がることになります。
この対策としてシリコンダイを冷却水によって直接(あるいはほぼ直接)に放熱させる技術をTSMCは開発しています。
シリコンダイに溝を切って冷却水を流すというものです。
注目すべきは溝加工にダイシングソーを使っているということ。エッチングではありません。
調べたらレーザーダイオードやパワーデバイスの放熱ですでに使われているようです。
お手すきのときにでも、記事を眺めていただければうれしいです。