EETimes Japan様から頂いておりますコラム「デバイス通信」を更新しました。
新シリーズ「TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術」の第5回となります。
前回に続き、「InFO」技術を拡張したパッケージを紹介しています。
今回は、ミリ波用途（28GHz～50GHz）に使える高周波パッケージ「InFO_SoIS」です。
InFOの要となる再配線層（RDL）を樹脂基板に作りこんでいます。シリコンダイ付近のInFO構造と合わせ、2つのInFOを積層した構造になっております。従来の樹脂基板（GL102）に比べて挿入損失が25％～30％減少することをアピールしています。
詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。
