前日に続き、ISSCCの現地レポートをPC Watch様に掲載していただきました。
スピン注入磁気メモリ（STT-MRAM）の研究開発成果を紹介しております。
「SK Hynixと東芝が共同開発した4Gbitの大容量STT-MRAM」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1043478.html
SK Hynixと東芝の共同開発チームは昨年12月のIEDMでSTT-MRAM技術を発表し、4Gbitチップの詳細はISSCCで発表すると予告しておりました。
（参考記事）
「ギガビット時代に突入するSTT-MRAM」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1038781.html
この記事で予測したシリコンダイ面積は大外れ（恥）。実際は約100平方ミリでした。
開発した4Gbitチップは、LPDDR2 DRAMの置き換えを想定して仕様を決めていることがうかがえます。お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。
