Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

ISSCC 2017現地レポート第2弾「SK Hynixと東芝が共同開発した4Gbitの大容量STT-MRAM」


前日に続き、ISSCCの現地レポートをPC Watch様に掲載していただきました。
スピン注入磁気メモリ(STT-MRAM)の研究開発成果を紹介しております。


「SK Hynixと東芝が共同開発した4Gbitの大容量STT-MRAM」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/1043478.html


SK Hynixと東芝の共同開発チームは昨年12月のIEDMでSTT-MRAM技術を発表し、4Gbitチップの詳細はISSCCで発表すると予告しておりました。

(参考記事)
「ギガビット時代に突入するSTT-MRAM」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1038781.html
この記事で予測したシリコンダイ面積は大外れ(恥)。実際は約100平方ミリでした。


開発した4Gbitチップは、LPDDR2 DRAMの置き換えを想定して仕様を決めていることがうかがえます。お手すきのときにでも、記事を眺めていただけるとうれしいです。