Electronics Pick-up by Akira Fukuda

日本で2番目に(?)半導体技術に詳しいライターのブログ

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コラム「セミコン業界最前線」を更新。「321層の超高層3D NANDフラッシュをSK hynixが披露」

PC Watch様から頂いておりますコラム「セミコン業界最前線」を更新しました。
こちらのエントリで予告しておりましたフラッシュメモリと応用品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS)」が始まりました。

そのレポート第1弾です。フラッシュメモリ大手SK hynixのキーノート講演概要となります。

pc.watch.impress.co.jp

フラッシュメモリ業界は値下がりによって非常に苦しい状態ですが、キーノート講演は変わらず元気です。
苦しいからこそ笑顔で、なのでしょうか。

そして3D NANDフラッシュはついに300層を超え、321層に達しました。1平方ミリ当たりの記憶容量は20Gbitを超えます。
1ミリ角のシリコンダイに20Gbit(2.5Gバイト)。試作したシリコンダイの面積は公表されていませんが、50平方ミリ前後であることが分かります。ちょうど7ミリ角強です。でもってこれで1Tbitを収容します。

なんといったら良いのか。これがまだ限界ではない、というところが恐ろしいです。


詳しくは記事をお読みいただけるとうれしいです。