3月26日にIntelとMicronのフラッシュ開発・製造連合が3D NANDのサンプル出荷を開始したことと、量産のスケジュールを公表しました。解説記事をコラム「セミコン業界最前線」に書いております。
「本格化する3D NANDフラッシュの量産競争〜Intel-Micron連合編」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150401_695653.html
Intel-Micron連合はこれまで（今でも）、技術内容をまったくといって良いほど明らかにしてきませんでした。国際学会での発表はごくわずかで、しかもその内容は抽象的でした。
今回の発表では、浮遊ゲート（フローティングゲート）方式で3D NANDを実現するというのが最大のトピックスでしょう。Samsung陣営と東芝-SanDisk連合はいずれも、電荷捕獲（チャージトラップ）方式で開発を進めてきたからです。
詳しくは記事を参照していただけると、うれしいです。
